化合物半导体在新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术领域中展现出了巨大的应用前景和发展空间，而随着SiC、GaN等第三代半导体材料被广泛使用，在应用升级的推动下，对于晶圆和化合物半导体的热处理技术要求也越来越高。传统的炉管退火工艺利用长时间的高温处理消除离子注入损伤、应力释放等，但存在缺陷消除不完全、退火时间长容易导致杂质再分布，温场控制困难等问题。因此需要一种退火温度可控、退火效率更高的新型退火方案。
RTP快速退火炉原理
RTP（Rapid Thermal Processing）快速退火炉是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，原理是通过控制加热和冷却过程中的温度和时间，以改变其性质或结构，从而实现对材料的精确控制和优化处理。
RTP结构示意图（图源网络）
RTP快速退火炉优势
RTP快速退火炉的快速升温过程和短暂的持续时间能够修复晶格缺陷，进而激活杂质，优化离子注入工艺后的导电性能。提供了更先进的温度控制，可以实现秒级退火，提高了退火效率的同时有效节约生产成本。
为满足市场高速发展的需求，晟鼎精密积极探索快速热退火应用方案，凭借多年技术优势及行业经验，自主研发推出RTP全自动双腔快速退火炉，广泛应用于IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、金属合金等，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能。
晟鼎精密RTP快速退火炉技术优势
1.选用卤素红外灯作为热源，利用极快的升温速率，制程范围覆盖200-1250℃
2.强大的温场管理系统，均温曲线重合性高
3.独有专利的温度控制系统，实时对腔室温度进行监控并矫正
全自动双腔快速退火炉
适用于多规格尺寸(18片4英寸，8片6英寸，2片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片)，拥有出色的热源和结构设计。
腔体架构采用上、下两片石英板的腔体设计，可支持真空制程功能，以双面卤素灯管为加热源，经由Robot从Cassette转移wafer至Chamber内进行快速退火制程，灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的温度重现性与温度均匀性。
①行业应用
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
砷化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
②产品优势
采用平行气路进气方式，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好的温度均匀性
大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理
适用于多规格尺寸(18片4英寸，8片6英寸，2片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等
4. 双面加热，可大幅减小图案加载效应，晶片上热的均匀性将更好
5. 1-5路气体配置(可定制)，可抽真空腔体，带机械手臂Robot上下传片